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JFETs 晶体管 / MQ2N5115
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： MQ2N5115
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- 描述： JFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 19
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- 供应商器件包装：TO-18 (TO-206AA)
- Product Status：活跃
- Package：Bulk
- 厂商：微芯片技术
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：30 V
- Pd - Power Dissipation：500 mW
- Transistor Polarity：P-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Drain-Source Current at Vgs=0：7 mA
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- Rds On - Drain-Source Resistance：100 Ohms
- Maximum Drain Gate Voltage：30 V
- Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage：30 V
- Gate-Source Cutoff Voltage：6 V
- 系列：Military, MIL-PRF-19500
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 类型：JFET
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Single
- 功率 - 最大：500 mW
- 场效应管类型：P-Channel
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：25pF @ 15V
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- 产品类别：JFETs
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：15 mA @ 15 V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）：30 V
- 电阻-RDS(On)：100 Ohms
- 产品类别：JFET
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