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单相BJT晶体管 / 2N7368
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: 2N7368
- 厂商: Microchip Technology
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-254-3, TO-254AA
- 描述: POWER BJT
- 库存地点: 内地
- 库存: 2180
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-254-3, TO-254AA
- 底架:通孔
- 表面安装:NO
- 引脚数:3
- 供应商器件包装:TO-254AA
- 终端数量:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- 厂商:微芯片技术
- Current-Collector (Ic) (Max):10 A
- Product Status:活跃
- Package:Bulk
- RoHS:Compliant
- Transistor Polarity:NPN
- Package Description:TO-254, 3 PIN
- Package Style:FLANGE MOUNT
- Package Body Material:METAL
- Reflow Temperature-Max (s):未说明
- Operating Temperature-Max:200 °C
- Rohs Code:无
- Manufacturer Part Number:2N7368
- Package Shape:SQUARE
- Manufacturer:Microsemi Corporation
- Number of Elements:1
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:MICROSEMI CORP
- Risk Rank:5.35
- Part Package Code:TO-254AA
- 系列:-
- 操作温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
- 包装:Bulk
- JESD-609代码:e0
- 无铅代码:无
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡铅
- 最高工作温度:200 °C
- 最小工作温度:-65 °C
- 子类别:其他晶体管
- 最大功率耗散:115 W
- 技术:Si
- 端子位置:SINGLE
- 终端形式:PIN/PEG
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:unknown
- 引脚数量:3
- JESD-30代码:S-MSFM-P3
- 资历状况:不合格
- 配置:SINGLE
- 功率 - 最大:115 W
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):80 V
- 最大集电极电流:10 A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:50 @ 1A, 2V
- 最大集极截止电流:1mA
- JEDEC-95代码:TO-254AA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1V @ 500mA, 5A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
- 频率转换:-
- 集电极基极电压(VCBO):80 V
- 最大耗散功率(Abs):115 W
- 集电极电流-最大值(IC):10 A
- 最小直流增益(hFE):30
- 集电极-发射器电压-最大值:80 V
- 辐射硬化:无
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