RF BJT 晶体管 / NESG2031M05-T1-A

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型号： NESG2031M05-T1-A
厂商： Renesas Electronics America Inc
类别： RF BJT 晶体管
封装： SOT-343F
描述： NESG2031 - NPN SIGE RF TRANSISTO
库存地点：内地
库存： 38025
货期： 1 - 3 个工作日

个

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
安装类型：表面贴装
包装/外壳：SOT-343F
底架：表面贴装
表面安装：YES
供应商器件包装：M05
终端数量：4
晶体管元件材料：硅锗
厂商：Renesas Electronics America Inc
Product Status：Obsolete
Package：Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)：35mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage：5 V
Voltage Rating (DC)：5 V
RoHS：Compliant
Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Package Style：小概要
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Rohs Code：有
Transition Frequency-Nom (fT)：25000 MHz
Manufacturer Part Number：NESG2031M05-T1-A
Package Shape：RECTANGULAR
Manufacturer：NEC Electronics Group
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：Transferred
Ihs Manufacturer：NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank：5.29
系列：-
包装：Tape & Reel (TR)
JESD-609代码：e6
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：锡铋
最高工作温度：150 °C
最小工作温度：-65 °C
附加功能：低噪音
最大功率耗散：175 mW
端子位置：DUAL
终端形式：FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
额定电流：35 mA
频率：25 GHz
引脚数量：4
JESD-30代码：R-PDSO-F4
资历状况：不合格
极性：NPN
配置：SINGLE
功率 - 最大：175mW
晶体管应用：AMPLIFIER
极性/通道类型：NPN
晶体管类型：NPN
最大集电极电流：35 mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：130 @ 5mA, 2V
增益：10dB ~ 17dB
电压 - 集射极击穿（最大值）：5V
转换频率：25 GHz
频率转换：25GHz
集电极基极电压(VCBO)：13 V
发射极基极电压 (VEBO)：1.5 V
集电极电流-最大值(IC)：0.035 A
连续集电极电流：35 mA
集电极-发射器电压-最大值：5 V
最高频段：C 带
集电极-基极电容-最大值：0.25 pF
噪音数字(分贝类型@ f)：0.8dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
宽度：1.25 mm
高度：590 µm
长度：2 mm
无铅：无铅