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RF BJT 晶体管 / MMBT5551-G
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： MMBT5551-G
- 厂商： Comchip Technology
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： -
- 描述： RF Bipolar Transistors VCEO=160V IC=600mA
- 库存地点： 内地
- 库存： 86003
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Details
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：100 MHz
- Manufacturer Part Number：MMBT5551-G
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：不推荐
- Ihs Manufacturer：COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
- Risk Rank：7.87
- 系列：MMBT5551
- 包装：MouseReel
- JESD-609代码：e3
- 类型：射频双极功率
- 端子表面处理：TIN
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 配置：SINGLE
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：双极电源
- 集电极电流-最大值(IC)：0.6 A
- 最小直流增益（hFE）：50
- 集电极-发射器电压-最大值：160 V
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