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单相BJT晶体管 / NTE2323

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  • 型号: NTE2323
  • 厂商: NTE Electronics, Inc
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 描述: TRANS NPN 200V 0.5A 14DIP
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 57
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 表面安装:NO
  • 供应商器件包装:14-DIP
  • 终端数量:14
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • 厂商:NTE Electronics, Inc
  • Package:Bag
  • Product Status:活跃
  • Current-Collector (Ic) (Max):500 mA
  • Manufacturer Part Number:NTE2323
  • Manufacturer:NTE Electronics
  • Package Style:IN-LINE
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Transition Frequency-Nom (fT):80 MHz
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Number of Elements:4
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:NTE ELECTRONICS INC
  • Risk Rank:2.13
  • 系列:-
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • ECCN 代码:EAR99
  • HTS代码:8541.29.00.75
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:THROUGH-HOLE
  • Reach合规守则:unknown
  • JESD-30代码:R-PDIP-T14
  • 资历状况:不合格
  • 配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS
  • 功率 - 最大:750 mW
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 极性/通道类型:NPN
  • 晶体管类型:NPN
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:40 @ 30mA, 10V
  • 最大集极截止电流:100nA (ICBO)
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):500mV @ 2mA, 20mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):200 V
  • 频率转换:80MHz
  • 集电极电流-最大值(IC):0.5 A
  • 最小直流增益(hFE):40
  • 集电极-发射器电压-最大值:200 V

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