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内存模块 / MT8HTF6464HDZ-667G1
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- 型号： MT8HTF6464HDZ-667G1
- 厂商： Micron Technology Inc.
- 类别： 内存模块
- 封装： 200-SODIMM
- 描述： DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMM
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Socket
- 包装/外壳：200-SODIMM
- 引脚数：200
- Memory Types：DDR2 SDRAM
- Number of Elements：8
- 已出版：2014
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：200
- 最高工作温度：70°C
- 最小工作温度：0°C
- 端子位置：DUAL
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.6mm
- 工作电源电压：1.8V
- 温度等级：COMMERCIAL
- 最大电源电压：1.9V
- 最小电源电压：1.7V
- 内存大小：512MB
- 速度：667MT/s
- 时钟频率：333MHz
- 数据总线宽度：64b
- 组织结构：64MX64
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：64
- 待机电流-最大值：0.056A
- 记忆密度：4294967296 bit
- 最高频率：667MHz
- 访问时间（最大）：0.45 ns
- I/O类型：COMMON
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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