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内存模块 / MT4HTF6464HZ-667H1

  • 价格 起订量
  • ¥ 535.12421 1+
  • ¥ 504.83416 10+
  • ¥ 476.25864 100+
  • ¥ 449.30061 500+
  • ¥ 423.86850 1000+
  • 型号: MT4HTF6464HZ-667H1
  • 厂商: Micron Technology Inc.
  • 类别: 内存模块
  • 封装: 200-SODIMM
  • 描述: MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 81
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 535.12421

付款方式

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  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:Socket
  • 包装/外壳:200-SODIMM
  • 引脚数:200
  • Memory Types:DDR2 SDRAM
  • Number of Elements:4
  • 已出版:2010
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:200
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:哑光锡
  • 最高工作温度:70°C
  • 最小工作温度:0°C
  • 附加功能:WD-MAX
  • 端子位置:ZIG-ZAG
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • 功能数量:1
  • 电源电压:1.8V
  • 端子间距:0.6mm
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s):30
  • 引脚数量:200
  • 工作电源电压:1.8V
  • 温度等级:INDUSTRIAL
  • 最大电源电压:1.9V
  • 最小电源电压:1.7V
  • 内存大小:512MB
  • 端口的数量:1
  • 速度:667MT/s
  • 时钟频率:333MHz
  • 访问时间:900 ns
  • 数据总线宽度:64b
  • 输出特性:3-STATE
  • 内存宽度:64
  • 待机电流-最大值:0.028A
  • 最高频率:667MHz
  • I/O类型:COMMON
  • 刷新周期:8192
  • 长度:67.6mm
  • 座位高度(最大):30.15mm
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant