首页 内存卡和模块 内存模块 MT16VDDT12864AY-335F2
图片经供参考,以实物为准

内存模块 / MT16VDDT12864AY-335F2

  • 价格 起订量
  • ¥ 107.65825 1+
  • ¥ 101.56439 10+
  • ¥ 95.81546 100+
  • ¥ 90.39194 500+
  • ¥ 85.27542 1000+
  • 型号: MT16VDDT12864AY-335F2
  • 厂商: Micron Technology Inc.
  • 类别: 内存模块
  • 封装: 184-UDIMM
  • 描述: MODULE DDR SDRAM 1GB 184UDIMM
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 25
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 107.65825

付款方式

  • 支付宝
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  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:Socket
  • 包装/外壳:184-UDIMM
  • 引脚数:184
  • Memory Types:DDR SDRAM
  • Number of Elements:16
  • 包装:Bulk
  • 已出版:2002
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:184
  • 最高工作温度:70°C
  • 最小工作温度:0°C
  • 端子位置:DUAL
  • 电源电压:2.5V
  • 端子间距:1.27mm
  • 工作电源电压:2.5V
  • 温度等级:COMMERCIAL
  • 最大电源电压:2.7V
  • 最小电源电压:2.3V
  • 内存大小:1GB
  • 速度:333MT/s
  • 组织结构:128MX64
  • 输出特性:3-STATE
  • 内存宽度:64
  • 待机电流-最大值:0.08A
  • 记忆密度:8589934592 bit
  • 最高频率:333MHz
  • 访问时间(最大):0.7 ns
  • I/O类型:COMMON
  • 刷新周期:8192
  • 高度:31.2mm
  • 辐射硬化:无
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

采购询价

可替换产品