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存储器 / MT46V64M8TG-5B:J
- 价格 起订量
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- 型号： MT46V64M8TG-5B:J
- 厂商： Micron Technology Inc.
- 类别： 存储器
- 封装： 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 描述： DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.6V 66-Pin TSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 2866
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 表面安装：YES
- 引脚数：66
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：0°C~70°C TA
- 包装：Bulk
- 已出版：2011
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：66
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码：8542.32.00.28
- 电压 - 供电 ：2.5V~2.7V
- 端子位置：DUAL
- 功能数量：1
- 电源电压：2.6V
- 端子间距：0.65mm
- 引脚数量：66
- 工作电源电压：2.6V
- 电源电压-最大值(Vsup)：2.7V
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.5V
- 内存大小：512Mb 64M x 8
- 端口的数量：1
- 时钟频率：200MHz
- 访问时间：700ps
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：8b
- 组织结构：64MX8
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：8
- 写入周期时间 - 字符、页面：15ns
- 地址总线宽度：15b
- 密度：512 Mb
- 待机电流-最大值：0.005A
- 最高频率：400MHz
- I/O类型：COMMON
- 刷新周期：8192
- 顺序突发长度：248
- 交错突发长度：248
- 长度：22.22mm
- 座位高度(最大)：1.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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