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存储器 / IS61DDB21M36-250M3L
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
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- ¥ 0 1000+
- 型号: IS61DDB21M36-250M3L
- 厂商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别: 存储器
- 封装: 165-LBGA
- 描述: SRAM 36M (1Mx36) 250MHz DDR II Sync SRAM
- 库存地点: 内地
- 库存: 27
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:165-LBGA
- 引脚数:165
- Memory Types:Volatile
- Current - Supply (Nom):550mA
- 操作温度:0°C~70°C TA
- 包装:Tray
- JESD-609代码:e1
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:165
- 端子表面处理:锡银铜
- 附加功能:流水线结构
- 电压 - 供电 :1.8V
- 端子位置:BOTTOM
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 功能数量:1
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 资历状况:不合格
- 内存大小:36Mb 1M x 36
- 端口的数量:1
- 时钟频率:250MHz
- 访问时间:350 ps
- 内存格式:SRAM
- 内存接口:Parallel
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:36
- 地址总线宽度:20b
- 密度:36 Mb
- 待机电流-最大值:0.2A
- I/O类型:COMMON
- 同步/异步:Synchronous
- 字长:36b
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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