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存储器 / CYDM064B16-55BVXI
- 价格 起订量
- ￥ 42.32981 1+
- ￥ 39.93378 10+
- ￥ 37.67338 100+
- ￥ 35.54092 500+
- ￥ 33.52917 1000+
- 型号： CYDM064B16-55BVXI
- 厂商： Cypress Semiconductor Corp
- 类别： 存储器
- 封装： 100-VFBGA
- 描述： IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 2570
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 42.32981
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：100-VFBGA
- 引脚数：100
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：100
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 电压 - 供电 ：1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 2.7V~3.3V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.5mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：20
- 基本部件号：CYDM
- 引脚数量：100
- 工作电源电压：1.8V
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.9V
- 电源：1.8/3V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.7V
- 内存大小：64Kb 4K x 16
- 端口的数量：2
- 电源电流：25mA
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：4KX16
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：55ns
- 地址总线宽度：24b
- 密度：64 kb
- 待机电流-最大值：0.000006A
- 访问时间（最大）：55 ns
- I/O类型：COMMON
- 同步/异步：Asynchronous
- 字长：16b
- 待机电压-最小值：1.7V
- 长度：6mm
- 座位高度(最大)：1mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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