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存储器 / IS42S16100E-7TLI
- 价格 起订量
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- 型号： IS42S16100E-7TLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 描述： IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
- 库存地点： 内地
- 库存： 19
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 引脚数：50
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：50
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码：8542.32.00.02
- 电压 - 供电 ：3V~3.6V
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：3.3V
- 端子间距：0.8mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：50
- 工作电源电压：3.3V
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6V
- 电源电压-最小值(Vsup)：3V
- 内存大小：16Mb 1M x 16
- 端口的数量：1
- 电源电流：150mA
- 最大电源电流：150mA
- 时钟频率：143MHz
- 访问时间：5.5ns
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：16b
- 组织结构：1MX16
- 输出特性：3-STATE
- 地址总线宽度：12b
- 密度：16 Mb
- 待机电流-最大值：0.004A
- I/O类型：COMMON
- 刷新周期：2048
- 高度：1.05mm
- 长度：21.08mm
- 宽度：10.29mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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