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存储器 / IS61NLP25636A-200B3I
- 价格 起订量
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- 型号： IS61NLP25636A-200B3I
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 165-TFBGA
- 描述： IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 包装/外壳：165-TFBGA
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：165
- Memory Types：Volatile
- 包装：Tray
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：最后一次购买
- 湿度敏感性等级(MSL)：2 (1 Year)
- 终止次数：165
- ECCN 代码：3A991.B.2.A
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 附加功能：流水线结构
- 电压 - 供电 ：3.135V~3.465V
- 端子位置：BOTTOM
- 功能数量：1
- 电源电压：3.3V
- 端子间距：1mm
- 引脚数量：165
- 工作电源电压：3.3V
- 电源电压-最小值(Vsup)：3.135V
- 内存大小：9Mb 256K x 36
- 端口的数量：4
- 时钟频率：200MHz
- 访问时间：3.1ns
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：256KX36
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：36
- 地址总线宽度：18b
- 密度：9 Mb
- 待机电流-最大值：0.05A
- I/O类型：COMMON
- 座位高度(最大)：1.2mm
- 长度：15mm
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 辐射硬化：无
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