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存储器 / EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
- 价格 起订量
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- 型号： EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
- 厂商： Micron Technology Inc.
- 类别： 存储器
- 封装： 134-VFBGA
- 描述： DRAM Chip LPDDR2 SDRAM 1G-Bit 32Mx32 1.2V 134-Pin FBGA Dry Pack
- 库存地点： 内地
- 库存： 13200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：134-VFBGA
- 引脚数：134
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~105°C TC
- 包装：Bulk
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：最后一次购买
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：134
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 附加功能：SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
- 电压 - 供电 ：1.14V~1.95V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：1.2V
- 端子间距：0.65mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 工作电源电压：1.2V
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.3V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.14V
- 内存大小：1Gb 32M x 32
- 端口的数量：1
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：32b
- 组织结构：32MX32
- 内存宽度：32
- 地址总线宽度：13b
- 密度：1 Gb
- 最高频率：533MHz
- 访问模式：多库页面突发
- 长度：11.5mm
- 座位高度(最大)：1mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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