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存储器 / MT41K512M4DA-125:K
- 价格 起订量
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- 型号: MT41K512M4DA-125:K
- 厂商: Micron Technology Inc.
- 类别: 存储器
- 封装: 78-TFBGA
- 描述: DRAM Chip DDR3L SDRAM 2G-Bit 512Mx4 1.35V 78-Pin FBGA
- 库存地点: 内地
- 库存: 52000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:12 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:78-TFBGA
- 引脚数:78
- Memory Types:Volatile
- 操作温度:0°C~95°C TC
- 包装:Bulk
- 已出版:2012
- JESD-609代码:e1
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:78
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡银铜
- 附加功能:AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码:8542.32.00.36
- 电压 - 供电 :1.283V~1.45V
- 端子位置:BOTTOM
- 功能数量:1
- 电源电压:1.35V
- 端子间距:0.8mm
- 基本部件号:MT41K512M4
- 引脚数量:78
- 工作电源电压:1.35V
- 电源电压-最大值(Vsup):1.45V
- 电源电压-最小值(Vsup):1.283V
- 内存大小:2Gb 512M x 4
- 端口的数量:1
- 电源电流:93mA
- 时钟频率:800MHz
- 访问时间:13.75ns
- 内存格式:DRAM
- 内存接口:Parallel
- 数据总线宽度:4b
- 组织结构:512MX4
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:4
- 地址总线宽度:18b
- 密度:2 Gb
- 待机电流-最大值:0.012A
- I/O类型:COMMON
- 刷新周期:8192
- 顺序突发长度:8
- 交错突发长度:8
- 长度:10.5mm
- 座位高度(最大):1.2mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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