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存储器 / IS61WV2568EDBLL-10BLI
- 价格 起订量
- ￥ 30.88128 1+
- ￥ 29.13328 10+
- ￥ 27.48423 100+
- ￥ 25.92852 500+
- ￥ 24.46087 1000+
- 型号： IS61WV2568EDBLL-10BLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 36-TFBGA
- 描述： SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
- 库存地点： 内地
- 库存： 23
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 30.88128
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：36-TFBGA
- 表面安装：YES
- 引脚数：36
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：36
- ECCN 代码：3A991.B.2.A
- 端子表面处理：锡银铜
- 附加功能：流水线结构
- HTS代码：8542.32.00.41
- 电压 - 供电 ：2.4V~3.6V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：3.3V
- 端子间距：0.75mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：36
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6V
- 电源：2.5/3.3V
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.4V
- 内存大小：2Mb 256K x 8
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：256KX8
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：8
- 写入周期时间 - 字符、页面：10ns
- 待机电流-最大值：0.006A
- 记忆密度：2097152 bit
- 访问时间（最大）：10 ns
- I/O类型：COMMON
- 待机电压-最小值：2V
- 长度：8mm
- 座位高度(最大)：1.2mm
- 宽度：6mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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