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存储器 / IS42S32200L-6TL
- 价格 起订量
- ¥ 35.41605 1+
- ¥ 33.41137 10+
- ¥ 31.52016 100+
- ¥ 29.73600 500+
- ¥ 28.05283 1000+
- 型号: IS42S32200L-6TL
- 厂商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别: 存储器
- 封装: 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 描述: DRAM 64M (2Mx32) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
- 库存地点: 内地
- 库存: 122
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 35.41605
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 引脚数:86
- Memory Types:Volatile
- Usage Level:Commercial grade
- 操作温度:0°C~70°C TA
- 包装:Tray
- JESD-609代码:e3
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:86
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn) - annealed
- 附加功能:AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码:8542.32.00.02
- 电压 - 供电 :3V~3.6V
- 端子位置:DUAL
- 功能数量:1
- 电源电压:3.3V
- 端子间距:0.5mm
- 引脚数量:86
- 工作电源电压:3.3V
- 电源电压-最大值(Vsup):3.6V
- 电源电压-最小值(Vsup):3V
- 内存大小:64Mb 2M x 32
- 端口的数量:1
- 电源电流:100mA
- 最大电源电流:100mA
- 时钟频率:166MHz
- 访问时间:5.4ns
- 内存格式:DRAM
- 内存接口:Parallel
- 数据总线宽度:32b
- 组织结构:2MX32
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:32
- 地址总线宽度:13b
- 密度:64 Mb
- 待机电流-最大值:0.002A
- I/O类型:COMMON
- 刷新周期:4096
- 顺序突发长度:1248FP
- 交错突发长度:1248
- 长度:22.22mm
- 座位高度(最大):1.2mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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