简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / AS4C64M8D3L-12BIN
- 价格 起订量
- ￥ 32.21767 1+
- ￥ 30.39402 10+
- ￥ 28.67361 100+
- ￥ 27.05057 500+
- ￥ 25.51941 1000+
- 型号： AS4C64M8D3L-12BIN
- 厂商： Alliance Memory, Inc.
- 类别： 存储器
- 封装： 78-VFBGA
- 描述： IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 8
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 32.21767
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：78-VFBGA
- 表面安装：YES
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~95°C TA
- 包装：Tray
- 已出版：2017
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：78
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- 电压 - 供电 ：1.283V~1.45V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 功能数量：1
- 电源电压：1.35V
- 端子间距：0.8mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PBGA-B78
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.45V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.283V
- 内存大小：512Mb 64M x 8
- 端口的数量：1
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 时钟频率：800MHz
- 访问时间：20ns
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：64MX8
- 内存宽度：8
- 记忆密度：536870912 bit
- 长度：10.5mm
- 座位高度(最大)：1mm
- 宽度：8mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
