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存储器 / BR24G01FVT-3GE2
- 价格 起订量
- ￥ 1.10140 1+
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- ￥ 0.92476 500+
- ￥ 0.87241 1000+
- 型号： BR24G01FVT-3GE2
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 存储器
- 封装： 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- 描述： IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8TSSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 7000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.10140
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- 引脚数：8
- Memory Types：Non-Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 电压 - 供电 ：1.6V~5.5V
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 功能数量：1
- 电源电压：2.5V
- 端子间距：0.65mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：BR24G01
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：5.5V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.6V
- 界面：2-Wire, I2C, Serial
- 内存大小：1Kb 128 x 8
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 时钟频率：400kHz
- 访问时间：900 ns
- 内存格式：EEPROM
- 内存接口：I2C
- 内存宽度：8
- 写入周期时间 - 字符、页面：5ms
- 密度：1 kb
- 待机电流-最大值：0.000002A
- 串行总线类型：I2C
- 耐力：1000000 Write/Erase Cycles
- 写入周期时间 - 最大值：5ms
- 数据保持时间：40
- 写入保护：HARDWARE
- I2C控制字节：1010DDDR
- 长度：4.4mm
- 座位高度(最大)：1.2mm
- 宽度：3mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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