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存储器 / AS6C2016-55ZIN
- 价格 起订量
- ￥ 35.94599 1+
- ￥ 33.91131 10+
- ￥ 31.99180 100+
- ￥ 30.18095 500+
- ￥ 28.47259 1000+
- 型号： AS6C2016-55ZIN
- 厂商： Alliance Memory, Inc.
- 类别： 存储器
- 封装： 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 描述： SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
- 库存地点： 内地
- 库存： 657
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 35.94599
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 引脚数：44
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- 已出版：2002
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：44
- 电压 - 供电 ：2.7V~5.5V
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：3V
- 端子间距：0.8mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：44
- 工作电源电压：3V
- 电源电压-最大值(Vsup)：5.5V
- 电源：3/5V
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.7V
- 内存大小：2Mb 128K x 16
- 端口的数量：1
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 输出特性：3-STATE
- 写入周期时间 - 字符、页面：55ns
- 地址总线宽度：17b
- 密度：2 Mb
- 待机电流-最大值：0.00002A
- 访问时间（最大）：55 ns
- I/O类型：COMMON
- 待机电压-最小值：2V
- 高度：1.05mm
- 长度：18.6mm
- 宽度：10.3mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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