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存储器 / DS1230Y-70IND
- 价格 起订量
- ￥ 479.96917 1+
- ￥ 452.80110 10+
- ￥ 427.17085 100+
- ￥ 402.99137 500+
- ￥ 380.18054 1000+
- 型号： DS1230Y-70IND
- 厂商： Maxim Integrated
- 类别： 存储器
- 封装： 28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
- 描述： IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 479.96917
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
- 引脚数：28
- Memory Types：Non-Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tube
- 已出版：2002
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：28
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- HTS代码：8473.30.11.40
- 电压 - 供电 ：4.5V~5.5V
- 端子位置：DUAL
- 功能数量：1
- 电源电压：5V
- 端子间距：2.54mm
- 频率：70GHz
- 基本部件号：DS1230Y
- 引脚数量：28
- 工作电源电压：5V
- 电源：5V
- 内存大小：256Kb 32K x 8
- 工作电源电流：85mA
- 内存格式：NVSRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：8b
- 组织结构：32KX8
- 写入周期时间 - 字符、页面：70ns
- 地址总线宽度：15b
- 密度：256 kb
- 待机电流-最大值：0.0006A
- 访问时间（最大）：70 ns
- 高度：10.67mm
- 长度：39.37mm
- 宽度：18.8mm
- 达到SVHC：Unknown
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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