图片经供参考,以实物为准

TVS二极管 / ESDR0502NMUTBG
- 价格 起订量
- ¥ 2.72550 1+
- ¥ 2.57123 10+
- ¥ 2.42568 100+
- ¥ 2.28838 500+
- ¥ 2.15885 1000+
- 型号: ESDR0502NMUTBG
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: TVS二极管
- 封装: 6-UFDFN
- 描述: ON SEMICONDUCTOR ESDR0502NMUTBG TVS-DIODE, 100W, BIDIRECTIONAL, uDFN
- 库存地点: 内地
- 库存: 108582
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 2.72550
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间:5 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:6-UFDFN
- 表面安装:YES
- 引脚数:6
- 二极管元件材料:SILICON
- Breakdown Voltage / V:6V
- Number of Elements:1
- Reverse Stand-off Voltage:5.5V
- 操作温度:-40°C~125°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2012
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:6
- 终端:SMD/SMT
- ECCN 代码:EAR99
- 类型:Steering (Rail to Rail)
- 端子表面处理:Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)
- 应用:Ethernet
- 电容量:300FF
- 最大功率耗散:100W
- 端子位置:DUAL
- 深度:1mm
- 基本部件号:ESDR0502
- 引脚数量:6
- 工作电源电压:5.5V
- 工作电压:5.5V
- 配置:SINGLE
- 通道数量:4
- 泄漏电流:1μA
- 功率耗散:100W
- 电源线保护:有
- 最大反向漏电电流:1μA
- 箝位电压 :8kV
- 电压 - 反向断态(典型值):5.5V Max
- 峰值脉冲电流:3A
- 最大浪涌电流:3A
- 峰值脉冲功率:100W
- 方向:单向
- 无卤素:无卤素
- 测试电流:1mA
- 单向通道:3
- 电容@频率:0.3pF @ 1MHz
- 高度:500μm
- 长度:1.2mm
- 宽度:1mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
ESDR0502NMUTBG ON Semiconductor
TPD3E001DRYR Texas Instruments
PUSBM12VX4-TL,115 Nexperia USA Inc.
PUSBM30VX4-TL,115 Nexperia USA Inc.
PUSBM15VX4-TL,115 Nexperia USA Inc.




