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单相BJT晶体管 / 2N3442
- 价格 起订量
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- 型号： 2N3442
- 厂商： Central Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 包装/外壳：TO-3
- 底架：通孔
- hFEMin：20
- Power Dissipation (Max)：117W
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：5V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：140V
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：PIN/PEG
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：2
- JESD-30代码：O-MBFM-P2
- 资历状况：不合格
- 极性：NPN
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：80 kHz
- 集电极发射器电压(VCEO)：5V
- 最大集电极电流：10A
- 转换频率：0.08MHz
- 频率转换：80kHz
- 集电极基极电压(VCBO)：160V
- 发射极基极电压 (VEBO)：7V
- 最小直流增益（hFE）：20
- RoHS状态：符合RoHS标准
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