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存储器 / 71124S12YG
- 价格 起订量
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- 型号： 71124S12YG
- 厂商： Integrated Device Technology (IDT)
- 类别： 存储器
- 封装：
- 描述： SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：表面贴装
- 引脚数：32
- Memory Types：RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
- Current - Supply (Nom)：160mA
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：32
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 最高工作温度：70°C
- 最小工作温度：0°C
- 电压 - 供电 ：5V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：J BEND
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源：5V
- 温度等级：COMMERCIAL
- 界面：Parallel
- 内存大小：128kB
- 端口的数量：1
- 访问时间：12 ns
- 输出特性：3-STATE
- 地址总线宽度：17b
- 密度：1 Mb
- I/O类型：COMMON
- 同步/异步：Asynchronous
- 字长：8b
- 电压 - 供电 （最大值）：5.5V
- 电压 - 供电 （最小值）：4.5V
- 长度：20.9mm
- 座位高度(最大)：3.683mm
- 宽度：10.2mm
- 器件厚度：2.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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