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单MOSFET晶体管 / IRF6216TRPBF-1
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- 型号： IRF6216TRPBF-1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：SOT-223
- 终端数量：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：2.5W (Ta)
- Product Status：Obsolete
- Package Description：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IRF6216TRPBF-1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：生命周期结束
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.29
- Drain Current-Max (ID)：2.2 A
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：HEXFET®
- ECCN 代码：EAR99
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：240mOhm @ 1.3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1280 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：49 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：150 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- JEDEC-95代码：MS-012AA
- 漏极-源极导通最大电阻：0.24 Ω
- DS 击穿电压-最小值：150 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
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