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单相BJT晶体管 - 预偏置 / DTB143ECT116
- 价格 起订量
- ￥ 1.73410 1+
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- ￥ 1.54334 100+
- ￥ 1.45598 500+
- ￥ 1.37357 1000+
- 型号： DTB143ECT116
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.73410
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
- 附加功能：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- HTS代码：8541.21.00.75
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：300mV
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：47 @ 50mA 5V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 2.5mA, 50mA
- 转换频率：200MHz
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：200MHz
- 电阻基(R1)：4.7 k Ω
- 电阻-发射极基极(R2)：4.7 k Ω
- VCEsat-最大值：0.3 V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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