简体中文
图片经供参考，以实物为准
RF放大器 / BGA7M1N6E6327XTSA1
- 价格 起订量
- ￥ 6.05358 1+
- ￥ 5.71093 10+
- ￥ 5.38767 100+
- ￥ 5.08271 500+
- ￥ 4.79501 1000+
- 型号： BGA7M1N6E6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： RF放大器
- 封装： 6-XFDFN
- 描述： Low Noise Amplifier for LTE
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.05358
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-XFDFN
- Usage Level：Industrial grade
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：85°C
- 最小工作温度：-40°C
- HTS代码：8542.39.00.01
- 最大功率耗散：60mW
- 电压 - 供电 ：1.5V~3.3V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 功能数量：1
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.4mm
- 频率：1.8GHz~2.2GHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-N6
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 工作电源电流：4.4mA
- 无卤素：无卤素
- 增益：13dB
- 通信IC类型：电信电路
- 射频类型：LTE
- 噪声图：0.6dB
- P1dB：-7dBm
- 长度：1.1mm
- 座位高度(最大)：0.4mm
- 宽度：0.7mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
