简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IMZC120R007M2HXKSA1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IMZC120R007M2HXKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： PG-TO247-4-U07
- 描述： SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：PG-TO247-4-U07
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1.2 kV
- Id - Continuous Drain Current：201 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：20 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, + 25 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：5.1 V
- Qg - Gate Charge：176 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Pd - Power Dissipation：711 W
- Tradename：CoolSiC
- Country of Assembly：Not Available
- Country of Diffusion：Not Available
- Country of Origin：AT
- Fall Time：33.6 ns
- Forward Transconductance - Min：60 S
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：240
- Typical Turn-Off Delay Time：76.3 ns
- Typical Turn-On Delay Time：32.4 ns
- Part # Aliases：IMZC120R007M2H SP006031756
- 包装：Tube
- 系列：CoolSiC G2
- 类型：SiC MOSFET
- 配置：Enhancement
- 通道数量：1 Channel
- 上升时间：21.5 ns
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 产品：MOSFET
相关产品
