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单MOSFET晶体管 / HYG050N08NS1B
- 价格 起订量
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- 型号： HYG050N08NS1B
- 厂商： HUAYI(华羿微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： 80V 130A 4mΩ@10V,50A 187.5W 3V@250uA 1 N-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
- 库存地点： 内地
- 库存： 84000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：80V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,50A
- Power Dissipation (Pd)：187.5W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：25pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：4.28nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：68nC@10V
- Package：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 类型：1 N-Channel
- Continuous Drain Current (Id)：130A
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