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专用晶体管 / SI5429DU-T1-GE3
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- 型号： SI5429DU-T1-GE3
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： VISHAY SI5429DU-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 4388
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- Turn Off Delay Time：60 ns
- RoHS：Compliant
- Number of Elements：1
- Fall Time：20 ns
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：31 W
- 元素配置：Single
- 功率耗散：31 W
- 接通延迟时间：35 ns
- 上升时间：50 ns
- 漏源电压 (Vdss)：-30 V
- 连续放电电流(ID)：12 A
- 阈值电压：-1 V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 漏源击穿电压：-30 V
- 输入电容：2.32 nF
- 最大rds：15 mΩ
- 宽度：1.98 mm
- 长度：3.08 mm
- 高度：850 µm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
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