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专用晶体管 / SISA12DN-T1-GE3
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- 型号： SISA12DN-T1-GE3
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- Fall Time：20 ns
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：45 ns
- 电阻：3.2 mΩ
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：28 W
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：28 W
- 接通延迟时间：40 ns
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- 连续放电电流(ID)：25 A
- 阈值电压：1.5 V
- 栅极至源极电压(Vgs)：2.2 V
- 漏源击穿电压：30 V
- 输入电容：2.07 nF
- 漏源电阻：4.3 mΩ
- 最大rds：4.3 mΩ
- 高度：1.0668 mm
- 长度：3.1496 mm
- 宽度：3.1496 mm
- 达到SVHC：Unknown
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