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专用晶体管 / SI2304DDS-T1-GE3
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: SI2304DDS-T1-GE3
- 厂商: Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别: 专用晶体管
- 封装:
- 描述: Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3
- 库存地点: 内地
- 库存: 27000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层:Tin
- 底架:表面贴装
- 引脚数:3
- 质量:1.437803 g
- Case/Package:SOT-23
- Fall Time:22 ns
- Number of Elements:1
- RoHS:Compliant
- Schedule B:8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
- Turn Off Delay Time:12 ns
- 电阻:60 mΩ
- 最高工作温度:150 °C
- 最小工作温度:-55 °C
- 最大功率耗散:200 mW
- 通道数量:1
- 元素配置:Single
- 功率耗散:1.1 W
- 接通延迟时间:12 ns
- 上升时间:50 ns
- 漏源电压 (Vdss):30 V
- 连续放电电流(ID):3.6 A
- 阈值电压:2.2 V
- 栅极至源极电压(Vgs):20 V
- 漏源击穿电压:30 V
- 输入电容:35 pF
- 漏源电阻:49 mΩ
- 最大rds:850 mΩ
- 栅源电压:2.2 V
- 辐射硬化:无
- 达到SVHC:无SVHC
- 无铅:无铅
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