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MOSFETs 晶体管阵列 / IPD30N12S3L31ATMA2
- 价格 起订量
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- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IPD30N12S3L31ATMA2
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET_(120V 300V)
- 库存地点： 内地
- 库存： 8
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：PG-TO252-3-11
- 厂商：Infineon Technologies
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：57W (Tc)
- Qualification：AEC-Q101
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 零件状态：活跃
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：31mOhm @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 29µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1970 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：31 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：120 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 职系：汽车
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