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单MOSFET晶体管 / IMBG120R053M2HXTMA1
- 价格 起订量
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- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IMBG120R053M2HXTMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 描述： SIC DISCRETE
- 库存地点： 内地
- 库存： 605
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 供应商器件包装：PG-TO263-7-12
- 厂商：Infineon Technologies
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：41A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：15V, 18V
- Power Dissipation (Max)：205W (Tc)
- Base Product Number：IMBG120R053
- 系列：CoolSiC? Gen 2
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 零件状态：活跃
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：52.6mOhm @ 13.2A, 18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.1V @ 4.1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1010 pF @ 800 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：30 nC @ 18 V
- 漏源电压 (Vdss)：1200 V
- Vgs（最大值）：+23V, -10V
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