简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / M5M4C1000P-12
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： M5M4C1000P-12
- 厂商： Mitsubishi Electric
- 类别： 存储器
- 封装： -
- 描述： Description: Fast Page DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PDIP18
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：18
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Package Description：DIP, DIP18,.3
- Access Time-Max：120 ns
- Number of Words：1048576 words
- Number of Words Code：1000000
- Operating Temperature-Max：70 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：DIP
- Package Equivalence Code：DIP18,.3
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：IN-LINE
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：5 V
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码：8542.32.00.02
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 端子间距：2.54 mm
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PDIP-T18
- 资历状况：不合格
- 温度等级：COMMERCIAL
- 电源电流-最大值：0.065 mA
- 组织结构：1MX1
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：1
- 待机电流-最大值：0.001 A
- 记忆密度：1048576 bit
- I/O类型：SEPARATE
- 内存IC类型：快速页面 DRAM
- 刷新周期：512
相关产品
