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存储器 / K6F1016U4C-EF55
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- 型号： K6F1016U4C-EF55
- 厂商： Samsung Semiconductor
- 类别： 存储器
- 封装：
- 描述： Description: Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：48
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Part Package Code：BGA
- Package Description：VFBGA, BGA48,6X8,30
- Access Time-Max：55 ns
- Number of Words：65536 words
- Number of Words Code：64000
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：VFBGA
- Package Equivalence Code：BGA48,6X8,30
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：3 V
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- HTS代码：8542.32.00.41
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 功能数量：1
- 端子间距：0.75 mm
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：48
- JESD-30代码：R-PBGA-B48
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.3 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.7 V
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.026 mA
- 组织结构：64KX16
- 输出特性：3-STATE
- 座位高度-最大：1 mm
- 内存宽度：16
- 待机电流-最大值：0.000005 A
- 记忆密度：1048576 bit
- 并行/串行：PARALLEL
- I/O类型：COMMON
- 内存IC类型：标准SRAM
- 待机电压-最小值：1.5 V
- 长度：7 mm
- 宽度：6 mm
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