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单相BJT晶体管 / 2SB1287
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- 型号： 2SB1287
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装：
- 描述： Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FP, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ROHM CO LTD
- Part Package Code：TO-220FP
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Transition Frequency-Nom (fT)：200 MHz
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.29.00.75
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：PNP
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 最大耗散功率(Abs)：20 W
- 集电极电流-最大值(IC)：2 A
- 最小直流增益（hFE）：1000
- 集电极-发射器电压-最大值：100 V
- VCEsat-最大值：1.5 V
- 环境耗散-最大值：20 W
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