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存储器 / K4H511638F-LCB3T
- 价格 起订量
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- 型号： K4H511638F-LCB3T
- 厂商： Samsung Semiconductor
- 类别： 存储器
- 封装：
- 描述： DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：66
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Package Description：TSSOP, TSSOP66,.46
- Access Time-Max：0.7 ns
- Clock Frequency-Max (fCLK)：166 MHz
- Moisture Sensitivity Levels：3
- Number of Words：33554432 words
- Number of Words Code：32000000
- Operating Temperature-Max：70 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：TSSOP
- Package Equivalence Code：TSSOP66,.46
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：2.5 V
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8542.32.00.28
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 端子间距：0.635 mm
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PDSO-G66
- 资历状况：不合格
- 温度等级：COMMERCIAL
- 电源电流-最大值：0.38 mA
- 组织结构：32MX16
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：16
- 待机电流-最大值：0.005 A
- 记忆密度：536870912 bit
- I/O类型：COMMON
- 内存IC类型：DDR1 DRAM
- 刷新周期：8192
- 顺序突发长度：2,4,8
- 交错突发长度：2,4,8
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