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存储器 / NT5AD512M16C4-JRI
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： NT5AD512M16C4-JRI
- 厂商： Nanya Technology Corporation
- 类别： 存储器
- 封装：
- 描述： Description: DRAM,
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：96
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：NANYA TECHNOLOGY CORP
- Package Description：,
- Date Of Intro：2020-08-18
- Clock Frequency-Max (fCLK)：1600 MHz
- Number of Words：536870912 words
- Number of Words Code：512000000
- Operating Temperature-Max：95 °C
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：TFBGA
- Package Equivalence Code：BGA96,9X16,32
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：1.2 V
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 功能数量：1
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PBGA-B96
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.26 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.14 V
- 端口的数量：1
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.279 mA
- 组织结构：512MX16
- 输出特性：3-STATE
- 座位高度-最大：1.2 mm
- 内存宽度：16
- 待机电流-最大值：0.023 A
- 记忆密度：8589934592 bit
- I/O类型：COMMON
- 内存IC类型：DDR4 DRAM
- 顺序突发长度：8
- 交错突发长度：8
- 访问模式：四库页面突发
- 自我刷新：YES
- 长度：13 mm
- 宽度：7.5 mm
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