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专用晶体管 / STDID5BT4
- 价格 起订量
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- 型号： STDID5BT4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： Description: 12A, 55V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：STMICROELECTRONICS
- Part Package Code：TO-252AA
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Drain Current-Max (ID)：12 A
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-252AA
- 漏极-源极导通最大电阻：0.12 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：48 A
- DS 击穿电压-最小值：55 V
- 雪崩能量等级（Eas）：25 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：35 W
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