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专用晶体管 / SSD2004

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  • 型号: SSD2004
  • 厂商: Samsung Semiconductor
  • 类别: 专用晶体管
  • 封装:
  • 描述: Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
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付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 表面安装:YES
  • 终端数量:8
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Part Life Cycle Code:Obsolete
  • Ihs Manufacturer:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
  • Part Package Code:SOT
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
  • Drain Current-Max (ID):3 A
  • Number of Elements:2
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Package Style:小概要
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • Reach合规守则:unknown
  • 引脚数量:8
  • JESD-30代码:R-PDSO-G8
  • 资历状况:不合格
  • 配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.125 Ω
  • DS 击穿电压-最小值:20 V
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):2 W

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