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专用晶体管 / APT6040BNR
- 价格 起订量
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- 型号： APT6040BNR
- 厂商： Advanced Power Technology
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Drain Current-Max (ID)：18 A
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Turn-off Time-Max (toff)：205 ns
- Turn-on Time-Max (ton)：66 ns
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 附加功能：雪崩 额定
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 漏极-源极导通最大电阻：0.4 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：72 A
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 雪崩能量等级（Eas）：1210 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：310 W
- 反馈上限-最大值 (Crss)：225 pF
- 环境耗散-最大值：310 W
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