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专用模块 / TH50VSF3581AASB
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- 型号： TH50VSF3581AASB
- 厂商： Toshiba America Electronic Components
- 类别： 专用模块
- 封装：
- 描述： Description: IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA69, 12 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, Memory IC:Other
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：69
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Part Package Code：BGA
- Package Description：LFBGA, BGA69,10X12,32
- Access Time-Max：90 ns
- Number of Words：2097152 words
- Number of Words Code：2000000
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Operating Temperature-Min：-30 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：LFBGA
- Package Equivalence Code：BGA69,10X12,32
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：3 V
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 附加功能：USER CONFIGURABLE AS 4M X 8 FLASH AND CONTAINS SRAM CONFIGURED AS 512K X 16 OR 1M X 8
- HTS代码：8542.32.00.71
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 功能数量：1
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：69
- JESD-30代码：R-PBGA-B69
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.3 V
- 温度等级：OTHER
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.67 V
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.05 mA
- 组织结构：2MX16
- 座位高度-最大：1.4 mm
- 内存宽度：16
- 记忆密度：33554432 bit
- 内存IC类型：存储器电路
- 混合内存类型：FLASH+SRAM
- 长度：12 mm
- 宽度：9 mm
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