简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / KM44V16104AS-6
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： KM44V16104AS-6
- 厂商： Samsung Semiconductor
- 类别： 存储器
- 封装：
- 描述： EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：32
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Part Package Code：TSOP2
- Package Description：TSOP2, TSOP32,.46
- Access Time-Max：60 ns
- Number of Words：16777216 words
- Number of Words Code：16000000
- Operating Temperature-Max：70 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：TSOP2
- Package Equivalence Code：TSOP32,.46
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：3.3 V
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 附加功能：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
- HTS代码：8542.32.00.02
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 功能数量：1
- 端子间距：1.27 mm
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：32
- JESD-30代码：R-PDSO-G32
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6 V
- 温度等级：COMMERCIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：3 V
- 端口的数量：1
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.14 mA
- 组织结构：16MX4
- 输出特性：3-STATE
- 座位高度-最大：1.2 mm
- 内存宽度：4
- 待机电流-最大值：0.0005 A
- 记忆密度：67108864 bit
- I/O类型：COMMON
- 内存IC类型：EDO DRAM
- 刷新周期：4096
- 访问模式：FAST PAGE WITH EDO
- 自我刷新：NO
- 长度：20.95 mm
- 宽度：10.16 mm
相关产品
