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专用晶体管 / PMGD175XNE
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： PMGD175XNE
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： Small Signal Field-Effect Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 360000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Style：小概要
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Number of Elements：2
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Drain Current-Max (ID)：0.87 A
- Date Of Intro：2017-02-17
- Package Description：SC-88, TSSOP-6,6 PIN
- Ihs Manufacturer：NEXPERIA
- Part Life Cycle Code：活跃
- Rohs Code：有
- JESD-609代码：e3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：TIN
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 参考标准：IEC-60134
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.252 Ω
- DS 击穿电压-最小值：30 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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