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专用晶体管 / SSH4N90AS
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- 型号： SSH4N90AS
- 厂商： Samsung Semiconductor
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： Description: Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Part Package Code：TO-3P
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Drain Current-Max (ID)：4.5 A
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Turn-off Time-Max (toff)：215 ns
- Turn-on Time-Max (ton)：120 ns
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：3.7 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：18 A
- DS 击穿电压-最小值：900 V
- 雪崩能量等级（Eas）：536 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：140 W
- 反馈上限-最大值 (Crss)：40 pF
- 环境耗散-最大值：140 W
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