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单相BJT晶体管 / RN2109(TE85L,F)
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： RN2109(TE85L,F)
- 厂商： Toshiba America Electronic Components
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装：
- 描述： PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Package Description：,
- Number of Elements：1
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 极性/通道类型：PNP
- 最大耗散功率(Abs)：0.1 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.1 A
- 最小直流增益（hFE）：70
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