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单相齐纳二极管 / RSB6.8SM
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: RSB6.8SM
- 厂商: ROHM Semiconductor
- 类别: 单相齐纳二极管
- 封装:
- 描述: Trans Voltage Suppressor Diode,
- 库存地点: 内地
- 库存: 4119
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:YES
- 二极管元件材料:SILICON
- 终端数量:2
- Rohs Code:有
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:ROHM CO LTD
- Package Description:SC-79, SOD-523, 2 PIN
- Breakdown Voltage-Nom:6.8 V
- Number of Elements:1
- Operating Temperature-Max:150 °C
- Operating Temperature-Min:-55 °C
- Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
- Package Shape:RECTANGULAR
- Package Style:小概要
- Power Dissipation (Max):0.15 W
- ECCN 代码:EAR99
- 附加功能:HIGH RELIABILITY
- HTS代码:8541.10.00.50
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:FLAT
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- JESD-30代码:R-PDSO-F2
- 极性:BIDIRECTIONAL
- 配置:SINGLE
- 二极管类型:跨压抑制二极管
- Rep Pk反向电压-最大值:3.5 V
- 最大非代表峰值转速功率Dis:10 W
- 反向电流-最大值:0.5 µA
- 击穿电压-最小值:5.78 V
- 反向测试电压:3.5 V
- 击穿电压-最大值:7.82 V
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