简体中文
图片经供参考，以实物为准
专用晶体管 / TT8M11TCR
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： TT8M11TCR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSST8, 8 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：不推荐
- Ihs Manufacturer：ROHM CO LTD
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
- Drain Current-Max (ID)：3 A
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Number of Elements：2
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- JESD-30代码：R-PDSO-F8
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.109 Ω
- DS 击穿电压-最小值：30 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
相关产品
