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存储器 / AM9112BDM
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: AM9112BDM
- 厂商: AMD(超微)
- 类别: 存储器
- 封装:
- 描述: Standard SRAM, 256X4, 400ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-16
- 库存地点: 内地
- 库存: 453
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:NO
- 终端数量:16
- Rohs Code:无
- Part Life Cycle Code:Obsolete
- Ihs Manufacturer:ADVANCED MICRO DEVICES INC
- Part Package Code:DIP
- Package Description:DIP, DIP16,.3
- Access Time-Max:400 ns
- Number of Words:256 words
- Number of Words Code:256
- Operating Temperature-Max:125 °C
- Operating Temperature-Min:-55 °C
- Package Body Material:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Package Code:DIP
- Package Equivalence Code:DIP16,.3
- Package Shape:RECTANGULAR
- Package Style:IN-LINE
- Supply Voltage-Nom (Vsup):5 V
- JESD-609代码:e0
- ECCN 代码:3A001.A.2.C
- 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码:8542.32.00.41
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:THROUGH-HOLE
- 功能数量:1
- 端子间距:2.54 mm
- Reach合规守则:unknown
- 引脚数量:16
- JESD-30代码:R-CDIP-T16
- 资历状况:不合格
- 电源电压-最大值(Vsup):5.5 V
- 温度等级:MILITARY
- 电源电压-最小值(Vsup):4.5 V
- 端口的数量:1
- 操作模式:ASYNCHRONOUS
- 组织结构:256X4
- 输出特性:3-STATE
- 座位高度-最大:5.08 mm
- 内存宽度:4
- 记忆密度:1024 bit
- 筛选水平:MIL-STD-883 Class C
- 并行/串行:PARALLEL
- 内存IC类型:标准SRAM
- 输出启用:NO
- 长度:20.32 mm
- 宽度:7.62 mm
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